Average Partition Function for an Electron in Frisch-Lloyd Model

نویسندگان

چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

an application of equilibrium model for crude oil tanker ships insurance futures in iran

با توجه به تحریم های بین المملی علیه صنعت بیمه ایران امکان استفاده از بازارهای بین المملی بیمه ای برای نفتکش های ایرانی وجود ندارد. از طرفی از آنجایی که یکی از نوآوری های اخیر استفاده از بازارهای مالی به منظور ریسک های فاجعه آمیز می باشد. از اینرو در این پایان نامه سعی شده است با استفاده از این نوآوری ها با طراحی اوراق اختیارات راهی نو جهت بیمه گردن نفت کش های ایرانی ارائه نمود. از آنجایی که بر...

an appropriate model for exchange rate predictability in iran: comparing potential forecastability

nowadays in trade and economic issues, prediction is proposed as the most important branch of science. existence of effective variables, caused various sectors of the economic and business executives to prefer having mechanisms which can be used in their decisions. in recent years, several advances have led to various challenges in the science of forecasting. economical managers in various fi...

development and implementation of an optimized control strategy for induction machine in an electric vehicle

in the area of automotive engineering there is a tendency to more electrification of power train. in this work control of an induction machine for the application of electric vehicle is investigated. through the changing operating point of the machine, adapting the rotor magnetization current seems to be useful to increase the machines efficiency. in the literature there are many approaches wh...

15 صفحه اول

An Analytic Model for Kink Effect in I-V Characteristics of Single Electron Transistors

In this paper, we have investigated the effects of asymmetry in the source and drain capacitance of metallic island single electron transistors. By comparing the source and drain Fermi levels, in the ground and source referenced biasing configurations, with the island’s discrete charging energy levels for various gate voltages, we have derived a set of closed form equations for the device thres...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Progress of Theoretical Physics

سال: 1981

ISSN: 0033-068X,1347-4081

DOI: 10.1143/ptp.65.1088